【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、在半导体器件的制作过程中，在衬底表面形成电子元器件(如晶体管)后，通常在衬底上方形成多层电性互连结构，所述多层电性互连结构包括通过介质材料隔离的多层图形化的导电层以及连接相邻导电层的金属通孔(via)，最下方的导电层通过接触插塞(contact)连接至衬底。
2、随着半导体技术节点向越来越小的方向发展，所述多层电性互连结构中导电层的间距变小，金属通孔的尺寸也缩小，为了形成金属通孔，刻蚀形成高深宽比通孔并在其内部填充金属的难度增大，在工艺中需及时对所形成的金属通孔的连通性进行检测，以便于尽早发现制作过程中存在的问题，减小损失。
3、现有工艺采用wat(晶圆接受测试)检测金属通孔的连通性，但wat无法对金属通孔当层进行抽检，时效性差，并且，wat对于测试图案和测试流程要求较高，成本高且容易受到衬底上的其它工艺的影响，此外测试过程存在破坏性，重测难度高。
技术实现思路
1、为了解决现有技术在检测金属通孔连通性方面存在的问题，本技术提供一种半导体装置，所述半导体装置具有用于检测金属通孔连通性的测试结构。
2、本技术提供的半导体装置包括：
3、半导体基底；
4、第一层间介质层，形成于所述半导体基底上；
5、至少一个接触插塞，贯穿形成于所述第一层间介质层内，所述接触插塞与所述半导体基底电连接；以及
6、至少一个通孔测试结构，每个所述通孔测试结构
7、可选地，至少一个所述通孔测试结构包括：
8、至少一个第二金属垫，一一对应地形成于所述第一测试通孔上，每个所述第二金属垫与对应的所述第一测试通孔电连接。
9、可选地，所述第一测试通孔与对应的所述第二金属垫为一体成型导电块。
10、可选地，至少一个所述通孔测试结构包括：
11、沿远离所述半导体基底的方向堆叠的n层测试通孔，其中，最靠近所述半导体基底的第一层所述测试通孔为与所述第一金属垫电连接的所述第一测试通孔，第m层所述测试通孔包括位于第(m-1)层所述测试通孔上方的至少一个第m测试通孔；以及
12、沿远离所述半导体基底的方向堆叠的n层或者(n+1)层金属垫，其中，最靠近所述半导体基底的第一层所述金属垫为所述第一金属垫，第m层所述金属垫包括位于第(m-1)层所述金属垫上方的至少一个第m金属垫，所述第m金属垫设置于第(m-1)层所述测试通孔与第m层所述测试通孔之间并电连接一第(m-1)测试通孔与一第m测试通孔，m和n为整数且2≦m≦n。
13、可选地，第m层所述测试通孔包括多个所述第m测试通孔，各所述第m测试通孔的宽度相同或不完全相同。
14、可选地，第(n+1)层所述金属垫包括位于第n层所述测试通孔上的至少一个第(n+1)金属垫，每个所述第(n+1)金属垫与第n层所述测试通孔中的一第n测试通孔电连接，且所述第(n+1)金属垫与电连接的所述第n测试通孔为一体成型导电块。
15、可选地，第(n+1)层所述金属垫中的所述金属垫的数量与第n层所述测试通孔中的第n测试通孔的数量相同。
16、可选地，所述半导体装置还包括：
17、金属互连结构，包括第一金属互连层以及形成于所述第一金属互连层上且与所述第一金属互连层电连接的第一金属互连通孔，所述第一金属互连层通过相应的所述接触插塞电连接至所述半导体基底；其中，所述第一金属互连层和所述第一金属垫形成于所述第一层间介质层表面且相互隔离。
18、可选地，所述金属互连结构包括沿远离所述半导体基底的方向堆叠的n层金属互连层，其中，最靠近所述半导体基底的第一层所述金属互连层为所述第一金属互连层，相邻两层所述金属互连层通过金属互连通孔连接。
19、可选地，所述通孔测试结构中的第m层所述金属垫与所述金属互连结构中的第m层所述金属互连层位于所述半导体基底上的同一高度位置并且相互隔离。
20、本技术提供的半导体装置包括半导体基底及形成于所述半导体基底上的第一层间介质层、多个接触插塞以及至少一个通孔测试结构，其中，所述通孔测试结构包括与第一金属垫电连接的至少一个第一测试通孔，所述通孔测试结构与所述半导体基底上方的其它电性组件隔离，所述第一测试通孔的数量可根据需要设置，成本较低且不容易受到半导体基底上的其它工艺的影响，由于第一测试通孔通过第一金属垫以及相应的接触插塞电连接至半导体基底，可以在当层完成后利用导通性检测手段测试其连通性，时效性好，可重测，有助于尽早发现制作过程中存在的问题，减小损失。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少一个所述通孔测试结构包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一测试通孔与对应的所述第二金属垫为一体成型导电块。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少一个所述通孔测试结构包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，第M层所述测试通孔包括多个所述第M测试通孔，各所述第M测试通孔的宽度相同或不完全相同。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，第(N+1)层所述金属垫包括位于第N层所述测试通孔上的至少一个第(N+1)金属垫，每个所述第(N+1)金属垫与第N层所述测试通孔中的一第N测试通孔电连接，且所述第(N+1)金属垫与电连接的所述第N测试通孔为一体成型导电块。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，第(N+1)层所述金属垫中的所述金属垫的数量与第N层所述测试通孔中的第N测试通孔的数量相同。
8.如权利要求4-7任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少一个所述通孔测试结构包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一测试通孔与对应的所述第二金属垫为一体成型导电块。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少一个所述通孔测试结构包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，第m层所述测试通孔包括多个所述第m测试通孔，各所述第m测试通孔的宽度相同或不完全相同。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，第(n+1)层所述金属垫包括位于第n层所述测试通孔上的至少一个第(n+1)金属垫，每个所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张城城，曲兆展，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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