温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括沟道区域以及位于所述沟道区域两侧的源漏区域；在所述沟道区域和源漏区域中，形成位于所述基底顶部的沟道凸起部、以及位于所述基底上且横跨所述沟道凸起部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述沟道凸起部...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。