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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种SGTMOS器件及其制备方法、芯片，其中，漏极层、N型衬底层以及N型漂移层层叠设置，且N型漂移层设置为凹形结构，通过在N型漂移层的凹槽底部形成P型重掺杂层，并在其两侧分别形成第一N型掺杂区和第二N型掺杂...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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