温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中，形成于基底上的LOFIC电容耦接至所述基底中的浮置扩散区，可用于选择性地增大所述浮置扩散区节点的电容容量，所述LOFIC电容的下极板覆盖于第一层间介质层中的贯通孔内壁，...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。