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本发明提供一种多槽GaN HEMT结构，包括：P‑Si衬底、AlN过渡层、GaN Buffer层、GaN Channel层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、栅源侧钝化层、栅漏侧钝化层、第一AlN槽、第二AlN槽、源极金属、漏极金属、栅极金属...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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