一种多槽GaN HEMT结构制造技术

本发明专利技术提供一种多槽GaN HEMT结构，包括：P‑Si衬底、AlN过渡层、GaN Buffer层、GaN Channel层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、栅源侧钝化层、栅漏侧钝化层、第一AlN槽、第二AlN槽、源极金属、漏极金属、栅极金属、本发明专利技术通过多槽填充AlN，在不显著降低器件击穿电压的情况下，有效的增加了器件的抗SEB能力，十分适用于空间电力电子系统的应用场合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体，主要用于空间电力系统。

技术介绍

1、空间电力电子向着小型化、轻量化的方向发展，对功率密度的要求也越来越高。gan hemt由于其高开关频率、高功率密度和高导热性，在太空中有很好的应用前景。在空间辐射环境中，电子设备会受到严重的辐射效应。

2、单粒子烧毁(single event burnout，简称为seb)，是指宇宙空间中的高能质子或重粒子作用到器件上，沿入射径迹产生大量电荷所引发的各种效应。seb一旦在航天器飞行过程中发生，轻则可造成航天器电源功率转换器瞬间故障引起电源电压的剧烈波动；重则可导致航天器的电子系统发生灾难性事故，严重威胁着航天人员和设备的安全。因此，设计具有抗seb能力的功率器件的已经成为了一项新的严峻挑战。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是：在不显著降低器件击穿电压的情况下，通过多槽填充aln形成异质结结构来增强器件的抗seb能力。

2、为实现上述专利技术目的，本专利技术技术方案如下：

3、一种多槽gan hem本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多槽GaN HEMT结构，其特征在于包括：P-Si衬底(01)；AlN过渡层(02)；GaNBuffer层(03)；GaN Channel层(04)；AlGaN势垒层(05)；p-GaN层(06)；栅源侧钝化层(07)；栅漏侧钝化层(08)；第一AlN槽(09)；第二AlN槽(10)；源极金属(11)；漏极金属(12)；栅极金属(13)；

2.根据权利要求1所述的一种多槽GaN HEMT结构，其特征在于：第一AlN槽(09)贯通整个GaN Buffer层(03)；第二AlN槽(10)贯通整个GaN Buffer层(03)。

3.根据权利要求1所述的一种多槽...

【技术特征摘要】

1.一种多槽gan hemt结构，其特征在于包括：p-si衬底(01)；aln过渡层(02)；ganbuffer层(03)；gan channel层(04)；algan势垒层(05)；p-gan层(06)；栅源侧钝化层(07)；栅漏侧钝化层(08)；第一aln槽(09)；第二aln槽(10)；源极金属(11)；漏极金属(12)；栅极金属(13)；

2.根据权利要求1所述的一种多槽gan hemt结构，其特征在于：第一aln槽(09)贯通整个gan buffer层(03)；第二aln槽(10)贯通整个gan buffer层(03)。

3.根据权利要求1所述的一种多槽gan hemt结构，其特征在于：第一aln槽(09)和第二aln槽(10)未贯通整个gan buffer(03)层。

4.根据权利要求1所述的一种多槽gan hemt结构，其特征在于：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锌，姜清辰，王钊，彭正源，乔明，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：