温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构包括：衬底、绝缘层、外延层与电极。所述绝缘层位于所述衬底上。所述外延层位于所述绝缘层背向所述衬底的一侧，所述绝缘层位于所述衬底与所述外延层之间。所述电极包括源极、栅极与漏极，且位于所述外...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。