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本技术是涉及晶体管及半导体装置。所述半导体装置包括衬底以及设置于衬底内的掺杂区。栅极电极设置于掺杂区之上，且源极区及漏极区设置于掺杂区内。浅沟渠隔离(STI)结构设置于衬底内且在侧向上环绕源极区及漏极区。第一掺杂衬垫沿着STI结构设置，其中...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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