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本发明涉及一种碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件。上述碳化硅半导体结构的制备方法，在掺杂基底上形成碳膜之前，先形成隔离层，即在掺杂基底和碳膜之间形成隔离层，隔离层包括富硅层和/或硅层，由于隔离层的存在，使得碳膜中的杂质不容易向碳...
该专利属于汇能微电子技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汇能微电子技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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