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本发明涉及一种利用激光获得纳米尺度线条的方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中获得高密度的纳米尺度光学线条的工艺繁琐且成本极高的问题。包括如下步骤：在衬底的上方依次形成介质层和非结晶硅层；使用激光照射掩膜版，进行所述非结晶硅层的部分区域...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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