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本技术涉及耦合器件领域,特别地涉及一种光耦结构。本技术公开了一种光耦结构,包括顶部开口的外壳、结构件、输入单管和输出单管,结构件设有贯穿其左端面和右端面的腔体,输入单管和输出单管分别安装在腔体的左端部和右端部内,输入单管的发射端和输出单管的...该专利属于厦门华联半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门华联半导体科技有限公司授权不得商用。
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本技术涉及耦合器件领域,特别地涉及一种光耦结构。本技术公开了一种光耦结构,包括顶部开口的外壳、结构件、输入单管和输出单管,结构件设有贯穿其左端面和右端面的腔体,输入单管和输出单管分别安装在腔体的左端部和右端部内,输入单管的发射端和输出单管的...