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本发明提供了一种分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法，用以在InP材料上生长InGaAs外延层以及在InGaAs材料上生长InP外延层，本发明所述的分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法，通过引入薄InP或InGaAs...
该专利属于苏州焜原光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州焜原光电有限公司授权不得商用。

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