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本发明公开了一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，将器件有源区部分沟槽区域的源极多晶硅或者栅极多晶硅通过接触孔与源极金属层相连，使得该部分区域不参与整个器件的导通，能够有效降低器件的栅极电荷，同时由于沟槽下方屏蔽栅的存在可以保障...
该专利属于华羿微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华羿微电子股份有限公司授权不得商用。

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