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本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供形成有阴极的外延结构；在外延结构和所述阴极上形成介质层；去除部分介质层和与该部分介质层对应的预定厚度的外延结构，以形成中断所述外延结构中的二维电子气的阳极凹槽；在阳极凹槽的表面和与阳...
该专利属于苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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