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本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底中形成第一掺杂区及第二掺杂区；在基底上形成第一栅极及第二栅极，第一栅极与第一掺杂区交叠，第二栅极与第二掺杂区交叠，且第一栅极沿第一方向延伸，第二栅极沿第二方向延伸，第一方向与第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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