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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT级联型器件多层叠封结构及其制备方法，GaN HEMT级联型器件多层叠封结构包括GaN芯片、基板和MOS芯片；基板的中间为绝缘层，其正反两面均设有导电层；GaN芯片上设置有一源极窗口，源极窗...
该专利属于润新微电子（大连）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过润新微电子（大连）有限公司授权不得商用。

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