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本发明公开JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiC VDMOSFET，包括六边形元胞，六边形元胞具有P阱和N阱基本注入形貌，在栅源之间纵向的N/P+2/polySi背靠背二极管，实现钳位稳压的作用，同时将元胞的P阱与N阱同时...
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