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半导体结构及制备方法技术
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文档序号:40186883
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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及制备方法,半导体结构包括:基底、栅介质层、位于PMOS区的第一栅极以及位于NMOS区的第二栅极;基底包括PMOS区和NMOS区;栅介质层位于PMOS区以及NMOS区的基底上;第一栅极包括堆叠的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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