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本申请公开了一种3D与非门电路、工艺制作方法及电子设备，该与非门电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管；第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管串联连接，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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