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本申请实施例公开了一种存储电路、存储单元、电子设备和数据读写方法，涉及半导体技术领域，该电路包括：写晶体管、读晶体管和耦合电容；写晶体管包括第一极、第二极和第一栅极；第二极与写位线相连；第一栅极与写字线相连；读晶体管包括第三极、第四极和第二...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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