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本发明实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制作方法。该半导体器件，包括：衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；设置于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧的阻挡层；设置于...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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