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本发明提供一种具有异质结的SJ SiC VDMOS及制备方法，该SJ SiC VDMOS包括：硅层和P柱；所述硅层包括：第一体区，N+区、P+区和第一N柱；所述硅层位于碳化硅层与源极、栅极氧化层之间，并与源极和栅极氧化层邻接；所述P柱位于衬...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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