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本技术涉及封装结构技术领域，具体涉及一种提高PTC加热膜导电能力的出线位封装结构，包括加热膜主体、生料层和两层耳料层，加热膜主体包括PI盖膜、PI底膜、PTC浆料层和自粘铜箔，自粘铜箔设置于PTC浆料层的上表面、PI盖膜设置于自粘铜箔的上表...
该专利属于东莞市硅翔绝缘材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市硅翔绝缘材料有限公司授权不得商用。

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