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本发明提供了一种分子束外延生长方法及气态锑源供给装置，其采用锑烷作为气态锑源进行分子束外延生长，其中，锑烷包括SbH<subgt;3</subgt;及SbD<subgt;3</subgt;，具体包括：S1、使锑烷在预...
该专利属于苏州焜原光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州焜原光电有限公司授权不得商用。

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