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本发明公开了一种高效气相沉积工艺,以多孔碳材料为基底,以含硅气体、含磷气体、含氮气体、含硫气体、含硼气体、含锂气体为原料气,经分阶段气相沉积后在多孔碳材料孔穴内部沉积纳米颗粒;第一阶段,控制反应器内温度为300~800℃,初始压强为10~1...该专利属于碳一新能源(杭州)有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过碳一新能源(杭州)有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高效气相沉积工艺,以多孔碳材料为基底,以含硅气体、含磷气体、含氮气体、含硫气体、含硼气体、含锂气体为原料气,经分阶段气相沉积后在多孔碳材料孔穴内部沉积纳米颗粒;第一阶段,控制反应器内温度为300~800℃,初始压强为10~1...