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本公开提供一种存储装置。该存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在通道层与字线之间和多个存储单元定义在通道层与字线的多个交点。该存储装置配置成用于执行一第一操作m次和一第二操作n次，m大于等于n。在第一操作中，一第一电场产生在存储...
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