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掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法技术
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文档序号:4013320
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掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法,属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因,掺杂浓度低;在生长这种晶体的过程中,由于氟化钇锂熔点高,原料挥发严重,难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系,以稀土铒...
该专利属于长春理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过长春理工大学授权不得商用。
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