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本发明提供一种高K介质层的原子层沉积方法，提供清洁处理后的衬底，利用氧化性气体处理衬底表面；将衬底放置在原子层沉积室内，在原子层沉积室中通入H2O和HfCl4作为前躯体，H2O采用预设脉冲时间以及预设温度，之后利用原子层沉积工艺在衬底上形成...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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