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一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法，包括如下步骤：步骤１：取一条解理后的半导体激光器芯片；步骤２：通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ／４的高低折射率材料，在波长－反射率曲线上得到随波长红移反射率增加的薄膜系统...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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