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本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体说是一种具有狄拉克自旋零带隙层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述上限制层与电子阻挡层之间以及下限制层中间具有狄拉克自旋零带隙层，所述...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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