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本发明公开了一种基于网表和Layout版图加速存储仿真的方法，包括如下步骤：找出gds中连续拼接的SRAM单元，并以连续拼接的SRAM单元为单元组，以单元组中位于首端和尾端的两个SRAM单元为端部单元，以单元组中位于两个端部单元之间的SRA...
该专利属于苏州腾芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾芯微电子有限公司授权不得商用。

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