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本申请提供的碳纳米管场发射阴极及其制备方法，包括：导电基板；设置于所述导电基板上表面的石墨烯层；设置于所述石墨烯层上表面的碳纳米管；设置于所述碳纳米管表面的包覆层；设置于所述碳纳米管之间的填充层，且所述碳纳米管的尖端露出所述填充层，本申请提...
该专利属于深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳先进技术研究院授权不得商用。

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