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本发明公开一种三维芯片堆叠结构及制备方法，方法包括形成导电结构；在芯片的第一表面和/或第二表面制备半固化状态的有机膜，并在有机膜上开窗以露出第一导电结构和/或第二导电结构；在较低温度下，依次将上层芯片的第一导电结构固定在下层芯片的第二导电结...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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