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包括沟槽接触结构的半导体器件及制造方法。提出了一种半导体器件。沟槽栅极结构(102)从第一表面(104)沿竖直方向(y)延伸到碳化硅半导体本体(106)中。沟槽接触结构(108)从第一表面(104)沿竖直方向(y)延伸到碳化硅半导体本体(1...
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