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本发明提供一种熔丝监测结构及其制备方法、半导体晶圆，该熔丝监测结构包括衬底表面的熔丝及熔丝上方刻蚀部分电介质层后得到的窗口层。同时，竖直连接的焊盘、导电插塞、金属块形成极板单元，两个相对的极板单元形成测试电容作为监测元件，窗口层上方形成第一...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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