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本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，该器件在由６个ＭＯＳ晶体管所构成的静态型存储器单元中，所述ＭＯＳ晶体管具有如下构造：形成于基板，且漏极、栅极、源极配置于垂直方向，且栅极包围柱状半导体层。所述基板具备：具有第１导电型的第１活性区域及...
该专利属于日本优尼山帝斯电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子株式会社授权不得商用。

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