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本发明的目的是提供一种纳米硅量子点的制备方法并将该方法用于薄膜太阳电池的制造中。利用ＰＥＣＶＤ方法生长非晶硅，采用双光束逐层扫描晶化非晶硅薄膜，即利用偏振态为圆偏振的两束飞秒激光的双光束干涉，在非晶网络中形成纳米晶硅。飞秒激光双光束逐层扫描...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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