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本申请提供了一种形成沟槽的方法、半导体器件的制造方法及工艺设备，该方法包括：在半导体衬底的表面上形成掩膜层；掩膜开口暴露半导体衬底的第一部分的部分表面和第二部分的部分表面，第一部分与第二部分材料不同；交替循环执行改性层生成步骤和改性层刻蚀步...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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