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本申请涉及一种优化多源炉分布的方法和分子束外延设备。其中，优化多源炉分布的方法包括以下步骤：创建并运行具有多个源炉的分子束外延模型，其中，至少一个源炉为待优化源炉，优化变量包括所述待优化源炉的源炉口向衬底延伸的距离；根据设定的束流均匀度要求...
该专利属于埃特曼半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃特曼半导体技术有限公司授权不得商用。

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