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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用制造技术
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下载一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用的技术资料
文档序号:40081625
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本发明涉及一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用,使用本装置可以实现在单个二能级系统与声场强耦合条件下的自旋相干操纵,为后续更复杂的集成式的全片上多量子比特‑声场耦合系统及色心‑多场耦合系统提供思路。...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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