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所公开的技术总体上涉及形成氮化钛基薄膜，且更特别来说，涉及保形且平滑的氮化钛基薄膜及其形成方法。在一个方面，形成包括TiSiN的扩散阻挡物的方法包括使半导体衬底暴露于与一个或多个第二沉积阶段交替的一个或多个第一沉积阶段。使所述半导体衬底暴露...
该专利属于尤金纳斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尤金纳斯股份有限公司授权不得商用。

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