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一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法制造方法及图纸
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文档序号:40073584
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本发明公开一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法,所述装置包括:壳体;若干个炉体,间隔设置在壳体内;加热机构,包括水平设置在若干个炉体上部且具有从外到内螺距梯度增加的平面螺旋线结构的圆盘状感应线圈;升降旋转机构,设置在若干个炉体下部...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。
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