温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺，是将碳化硅衬底置于反应腔室中，在氢气气氛中对衬底进行预刻蚀处理后，通入碳源和硅源作为生长源气，使用六甲基二硅氮烷作为n型掺杂源，由氢气携带六甲基二硅氮烷进入反应腔室，生长n型掺杂碳化硅外延片。本...
该专利属于瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。