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本发明提供了一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用。所述碳氮化硅薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)通过热原子层沉积方法在衬底表面通入硅前驱体,得到第一反应物;所述硅前驱体的分子结构中不含卤素;(2)将步骤(1)得到的第一反应物与助剂接触,得到中...该专利属于合肥安德科铭半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥安德科铭半导体科技有限公司授权不得商用。
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