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本发明提供一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，涉及光电探测领域。该光电器件调控方法，包括以下步骤：S1.搭建过渡金属硫化物器件模型；S2.计算过渡金属硫化物材料器件模型的光电性质；S3.计算调控过后的渡金属硫化物材料光电...
该专利属于江西理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过江西理工大学授权不得商用。

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