一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法技术

本发明专利技术提供一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，涉及光电探测领域。该光电器件调控方法，包括以下步骤：S1.搭建过渡金属硫化物器件模型；S2.计算过渡金属硫化物材料器件模型的光电性质；S3.计算调控过后的渡金属硫化物材料光电探测器的光电流；S4.对计算结果分析与处理。通过非平衡格林函数‑密度泛函理论(NEGF‑DFT)的第一性原理方法，对过渡金属硫化物材料器件模型进行光电流调控，针对过渡金属硫化物对结构的敏感性，使用不同的方法调控光电流大小。该方法能够有效增大过渡金属硫化物器件的光电流，理论计算的角度出发也节约了实验上的成本，值得大力推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及过渡金属硫族化合物的分析表征领域，特别是基于mose2光电探测器的设计。

技术介绍

1、过渡金属硫族化合物(tmdcs)具有类石墨烯的层状结构和优异的光电性质，tmdcs的诸多效应如：能谷效应、自旋轨道耦合效应也受到了广泛研究。tmdcs广阔的应用领域目前以成功应用于催化剂、固体润滑剂、传感器等方面的应用。作为tmdcs的重要成员，稳定相的mose2是直接带隙半导体，具有1.5ev左右的带隙值，是最符合太阳光光谱的带隙值，这适用于光电探测器、太阳能电池、光电转换等方面的应用。虽然通过mose2制备光电探测器的相关研究较多，但对于具体的光响应调控目前还研究较少。

2、在传统的光电探测器中，把照射的光信号转换为电信号进行直观显示，这对光探测领域的有着重要意义。但一般二维材料制备的光电探测器存在光电流(光响应)较小、灵敏度较低等缺点，这不满足工业探测需求。所以找到一种改善灵敏度和响应度的方法，成了当下二维材料光电探测器的一个难点。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，其特征在于，步骤S1是借助晶体结构可视化软件对过渡金属硫化物材料进行建模，获得过渡金属硫化物材料的原胞模型以及器件模型。

3.根据权利要求1所述的一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，其特征在于步骤S2、S3是基于非平衡格林函数-密度泛函理论的第一性原理计算方法，借助量子输运软件对所建立的过渡金属硫化物材料器件模型进行自洽、光电流计算。

【技术特征摘要】

1.一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法，其特征在于，步骤s1是借助晶体结构可视化软件对过渡金属硫化物材料进行建模，获得过渡金属硫化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐中辉，刘川川，刘国港，赵书亮，
申请(专利权)人：江西理工大学，
类型：发明
国别省市：