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本发明公开了一种基于SOI工艺的短沟道平面CMOS集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明提出的一种基于SOI工艺的短沟道平面CMOS集成电路结构，该发明能够使得硅平面工艺的特征尺寸减小到12nm以下，提高IC集成度，节约...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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