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本发明提供了一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁及其制备方法，整个研究涵盖分别具有光屏蔽和光增强功能的两种神经形态器件以及硬件层面加密逻辑电路。器件结构包括底栅、栅绝缘层、电解质层、界面修饰层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。对器件分别进行电...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（湖州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（湖州）授权不得商用。

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