【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁及其制备方法。
技术介绍
1、随着我国经济的高速发展以及社会环境的开放，许多社会公共安全问题受到了社会公众的广泛关注。在公共安全领域，信息安全为社会快速发展提供有力支撑，因此，在信息安全方面，密码锁技术的研究开发成为加强安全保障的关键技术。常见的信息加密设备有口令密码、usb密钥、防复制软盘等，然而，这些加密手段依赖各种复杂的软件加密技术，容易遭受到黑客攻击或被他人非法窃取，无法满足日益增长的信息安全保障技术需求。
2、通过硬件层面的逻辑门运算进行加密来构建信息密码锁，与基于加密算法的传统方式不同，在硬件层面构建加密技术的策略依赖于高低阻态电子元器件的探索和开发。神经形态器件可用于突触仿生和神经形态计算，而神经形态器件集成的神经形态芯片采用并行计算，具有感存算一体的优势。因此，神经形态器件是构建信息密码锁的理想元器件。神经形态器件中，有机场效应晶体管(ofet)具有制备工艺简单、电学性能好、柔性、光电栅极调控等优势，是开发基于光屏蔽与光增强神经形态器件的光密码锁
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1.一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，涵盖的关键神经形态器件包括光屏蔽器件和光增强器件，其中，光屏蔽神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、界面修饰层、有机半导体沟道、水平栅、源极和漏极，光增强神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、界面修饰层、有机半导体沟道、水平栅、源极和漏极。
2.如权利要求1所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，所述底栅、栅绝缘层材料分别为Si和SiO2，所述光屏蔽神经形态器件的电解质层材料选择聚苯乙烯磺酸。
3.如权利要求1所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，所述两种神经形态器...
【技术特征摘要】
1.一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，涵盖的关键神经形态器件包括光屏蔽器件和光增强器件，其中，光屏蔽神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、界面修饰层、有机半导体沟道、水平栅、源极和漏极，光增强神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、界面修饰层、有机半导体沟道、水平栅、源极和漏极。
2.如权利要求1所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，所述底栅、栅绝缘层材料分别为si和sio2，所述光屏蔽神经形态器件的电解质层材料选择聚苯乙烯磺酸。
3.如权利要求1所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，所述两种神经形态器件的界面修饰层材料为聚苯乙烯，有机半导体沟道材料为并五苯，所述水平栅、源极和漏极材料均选用金属cu或au材料。
4.如权利要求1所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁，其特征在于，所述光屏蔽神经形态器件的电解质层位于衬底上方；所述两种神经形态器件界面修饰层位于电解质层或衬底上方；所述有机半导体分隔为两部分，设置于界面修饰层上方；所述源极和漏极与水平栅极水平共面结构，分别设置于两部分有机半导体沟道上方；所述源极和漏极隔开，中间留有导电沟道。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁的制备方法，包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑朝月，宋万科，陈希明，张符融，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：
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