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本发明涉及一种半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件，该终端结构包括：漏极电极，位于漏极电极上的衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的金属场板和钝化层；外延层远离衬底一侧的两端还分别设置有主结区和截止环，主结区和截止环之间的外延层内沿外...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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